JANTX1N6625US
Modèle de produit:
JANTX1N6625US
Fabricant:
Microsemi
La description:
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
16176 Pieces
Fiche technique:
JANTX1N6625US.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.75V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max):1100V (1.1kV)
Package composant fournisseur:D-5A
La vitesse:Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries:Military, MIL-PRF-19500/585
Temps de recouvrement inverse (trr):60ns
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SQ-MELF, A
Autres noms:1086-2656
1086-2656-MIL
Température d'utilisation - Jonction:-65°C ~ 150°C
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:JANTX1N6625US
Description élargie:Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Surface Mount D-5A
Type de diode:Standard
La description:DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
Courant - fuite, inverse à Vr:500nA @ 1100V
Courant - Rectifié moyenne (Io):1A
Capacité à Vr, F:10pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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