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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXTY2N65X2
IXTY2N65X2
Modèle de produit:
IXTY2N65X2
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
13655 Pieces
Fiche technique:
IXTY2N65X2.pdf
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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-252
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.3 Ohm @ 1A, 10V
Dissipation de puissance (max):55W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:8 Weeks
Référence fabricant:IXTY2N65X2
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:180pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:4.3nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 650V 2A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):650V
La description:MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

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