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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXTY2N100P
IXTY2N100P
Modèle de produit:
IXTY2N100P
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18762 Pieces
Fiche technique:
IXTY2N100P.pdf
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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 100µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-252, (D-Pak)
Séries:Polar™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max):86W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:IXTY2N100P
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:655pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:24.3nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 1000V (1kV) 2A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Tension drain-source (Vdss):1000V (1kV)
La description:MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2A (Tc)
Email:[email protected]

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