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Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | I-Pak |
Séries: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 105 mOhm @ 3.4A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 79W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Autres noms: | *IRLU9343 |
Température de fonctionnement: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | IRLU9343 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 50V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 47nC @ 10V |
type de FET: | P-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | P-Channel 55V 20A (Tc) 79W (Tc) Through Hole I-Pak |
Tension drain-source (Vdss): | 55V |
La description: | MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 20A (Tc) |
Email: | [email protected] |