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| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | SOT-227 |
| Séries: | POWER MOS 8™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 65 mOhm @ 42A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 543W (Tc) |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 22 Weeks |
| Référence fabricant: | APT58M50JCU2 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 10800pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 340nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 500V 59A 543W (Tc) Chassis Mount SOT-227 |
| Tension drain-source (Vdss): | 500V |
| La description: | MOSFET N-CH 500V 59A SOT227 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 59A |
| Email: | [email protected] |