IRFU1010Z
IRFU1010Z
Modèle de produit:
IRFU1010Z
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
13455 Pieces
Fiche technique:
IRFU1010Z.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 100µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:IPAK (TO-251)
Séries:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7.5 mOhm @ 42A, 10V
Dissipation de puissance (max):140W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms:*IRFU1010Z
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:IRFU1010Z
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2840pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:95nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 55V 42A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Tension drain-source (Vdss):55V
La description:MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:42A (Tc)
Email:[email protected]

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