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Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 100µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | IPAK (TO-251) |
Séries: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 7.5 mOhm @ 42A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 140W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Autres noms: | *IRFU1010ZPBF SP001567720 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | IRFU1010ZPBF |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2840pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 95nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 55V 42A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
Tension drain-source (Vdss): | 55V |
La description: | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 42A (Tc) |
Email: | [email protected] |