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Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 25µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | PQFN (3x3) |
Séries: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10 mOhm @ 11A, 20V |
Dissipation de puissance (max): | 2.8W (Ta) |
Emballage: | Original-Reel® |
Package / Boîte: | 8-PowerTDFN |
Autres noms: | IRFHM9331TR2PBFDKR |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | IRFHM9331TR2PBF |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1543pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 48nC @ 10V |
type de FET: | P-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | P-Channel 30V 11A (Ta), 24A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount PQFN (3x3) |
Tension drain-source (Vdss): | 30V |
La description: | MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 11A (Ta), 24A (Tc) |
Email: | [email protected] |