IRFHM9331TR2PBF
IRFHM9331TR2PBF
Modèle de produit:
IRFHM9331TR2PBF
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
12949 Pieces
Fiche technique:
IRFHM9331TR2PBF.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.4V @ 25µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PQFN (3x3)
Séries:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 11A, 20V
Dissipation de puissance (max):2.8W (Ta)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:IRFHM9331TR2PBFDKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:IRFHM9331TR2PBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1543pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 10V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:P-Channel 30V 11A (Ta), 24A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount PQFN (3x3)
Tension drain-source (Vdss):30V
La description:MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:11A (Ta), 24A (Tc)
Email:[email protected]

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