IRFHM4226TRPBF
IRFHM4226TRPBF
Modèle de produit:
IRFHM4226TRPBF
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N CH 25V 28A PQFN
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
16741 Pieces
Fiche technique:
IRFHM4226TRPBF.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.1V @ 50µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Séries:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.7W (Ta), 39W (Tc)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:8-TQFN Exposed Pad
Autres noms:IRFHM4226TRPBFDKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:IRFHM4226TRPBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 13V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 25V 28A (Ta) 2.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):25V
La description:MOSFET N CH 25V 28A PQFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:28A (Ta)
Email:[email protected]

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