IRFH7004TR2PBF
IRFH7004TR2PBF
Modèle de produit:
IRFH7004TR2PBF
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
14446 Pieces
Fiche technique:
IRFH7004TR2PBF.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:3.9V @ 150µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-PQFN (5x6)
Séries:HEXFET®, StrongIRFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.4 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max):156W (Tc)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:8-VQFN Exposed Pad
Autres noms:IRFH7004TR2PBFDKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:IRFH7004TR2PBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:6419pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:194nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 40V 100A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Tension drain-source (Vdss):40V
La description:MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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