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Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 150µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | 8-PQFN (5x6) |
Séries: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.4 mOhm @ 100A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 156W (Tc) |
Emballage: | Original-Reel® |
Package / Boîte: | 8-VQFN Exposed Pad |
Autres noms: | IRFH7004TR2PBFDKR |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | IRFH7004TR2PBF |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 6419pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 194nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 40V 100A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) |
Tension drain-source (Vdss): | 40V |
La description: | MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |