IRFH7911TR2PBF
IRFH7911TR2PBF
Modèle de produit:
IRFH7911TR2PBF
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18348 Pieces
Fiche technique:
IRFH7911TR2PBF.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.35V @ 25µA
Package composant fournisseur:PQFN (5x6)
Séries:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8.6 mOhm @ 12A, 10V
Puissance - Max:2.4W, 3.4W
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:18-PowerVQFN
Autres noms:IRFH7911TR2PBFDKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):2 (1 Year)
Référence fabricant:IRFH7911TR2PBF
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1060pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 4.5V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Description élargie:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 13A, 28A 2.4W, 3.4W Surface Mount PQFN (5x6)
Tension drain-source (Vdss):30V
La description:MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:13A, 28A
Email:[email protected]

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