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Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±30V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | DIRECTFET L8 |
Séries: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 38 mOhm @ 21A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 4.3W (Ta), 125W (Tc) |
Emballage: | Original-Reel® |
Package / Boîte: | DirectFET™ Isometric L8 |
Autres noms: | IRF7799L2TRPBFDKR |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | IRF7799L2TRPBF |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 6714pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 165nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 250V 375A (Tc) 4.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8 |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 250V |
La description: | MOSFET N-CH 250V DIRECTFET L8 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 375A (Tc) |
Email: | [email protected] |