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Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | DIRECTFET L8 |
Séries: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.5 mOhm @ 74A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | DirectFET™ Isometric L8 |
Autres noms: | IRF7769L2TR1PBFTR SP001566410 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | IRF7769L2TR1PBF |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 11560pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 300nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 100V 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8 |
Tension drain-source (Vdss): | 100V |
La description: | MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 375A (Tc) |
Email: | [email protected] |