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IPD60R800CEATMA1
- Modèle de produit:
- IPD60R800CEATMA1
- La description:
- MOSFET N-CH 600V TO-252-3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19979 Pieces
- Fiche technique:
- IPD60R800CEATMA1.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 170µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-252-3 |
| Séries: | CoolMOS™ CE |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 800 mOhm @ 2A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 48W (Tc) |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | IPD60R800CEATMA1DKR |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Référence fabricant: | IPD60R800CEATMA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 373pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 17.2nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 600V 5.6A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount TO-252-3 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 600V |
| La description: | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 5.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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