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Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 320µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | PG-TO252-3 |
Séries: | CoolMOS™ P6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 3.8A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 83W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Autres noms: | IPD60R380P6ATMA1TR SP001135814 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
Référence fabricant: | IPD60R380P6ATMA1 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 877pF @ 100V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 600V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 600V |
La description: | MOSFET N-CH 600V DPAK-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 10.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |