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IPB054N08N3 G
- Modèle de produit:
- IPB054N08N3 G
- La description:
- MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 17370 Pieces
- Fiche technique:
- IPB054N08N3 G.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 90µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO263-2 |
| Séries: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5.4 mOhm @ 80A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 150W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms: | IPB054N08N3 G-ND IPB054N08N3G IPB054N08N3GATMA1 SP000395166 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Référence fabricant: | IPB054N08N3 G |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 4750pF @ 40V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 69nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 80V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 6V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 80V |
| La description: | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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