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Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 33µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | PG-TO263-2 |
Séries: | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5.2 mOhm @ 70A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 79W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Autres noms: | IPB052N04N G IPB052N04N G-ND IPB052N04N GTR-ND SP000391505 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | IPB052N04NGATMA1 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 3300pF @ 20V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 40V 70A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
Tension drain-source (Vdss): | 40V |
La description: | MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 70A (Tc) |
Email: | [email protected] |