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IPAN65R650CEXKSA1
- Modèle de produit:
- IPAN65R650CEXKSA1
- La description:
- MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 16084 Pieces
- Fiche technique:
- IPAN65R650CEXKSA1.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 210µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO220 Full Pack |
| Séries: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 650 mOhm @ 2.1A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 28W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 Full Pack |
| Autres noms: | SP001508828 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Référence fabricant: | IPAN65R650CEXKSA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | Super Junction |
| Description élargie: | N-Channel 650V 10.1A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 650V |
| La description: | MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 10.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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