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FQE10N20CTU
- Modèle de produit:
- FQE10N20CTU
- Fabricant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 16114 Pieces
- Fiche technique:
- FQE10N20CTU.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-126 |
| Séries: | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 360 mOhm @ 2A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 12.8W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-225AA, TO-126-3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | FQE10N20CTU |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 510pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 26nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 200V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126 |
| Tension drain-source (Vdss): | 200V |
| La description: | MOSFET N-CH 200V 4A TO-126 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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