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Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.9V @ 4A |
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Tension - inverse (Vr) (max): | 600V |
Package composant fournisseur: | PG-TO252-3 |
La vitesse: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Séries: | thinQ!™ |
Temps de recouvrement inverse (trr): | 0ns |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Autres noms: | IDD04S60C IDD04S60C-ND IDD04S60CTR-ND SP000080224 |
Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 175°C |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
Référence fabricant: | IDD04S60CBUMA1 |
Description élargie: | Diode Silicon Carbide Schottky 600V 5.6A Surface Mount PG-TO252-3 |
Type de diode: | Silicon Carbide Schottky |
La description: | DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3 |
Courant - fuite, inverse à Vr: | 50µA @ 600V |
Courant - Rectifié moyenne (Io): | 5.6A |
Capacité à Vr, F: | 130pF @ 1V, 1MHz |
Email: | [email protected] |