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IDB30E60ATMA1
- Modèle de produit:
- IDB30E60ATMA1
- La description:
- DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 16665 Pieces
- Fiche technique:
- IDB30E60ATMA1.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 2V @ 30A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max): | 600V |
| Package composant fournisseur: | PG-TO263-3-2 |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 126ns |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms: | IDB30E60 IDB30E60-ND SP000013917 |
| Température d'utilisation - Jonction: | -40°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 8 Weeks |
| Référence fabricant: | IDB30E60ATMA1 |
| Description élargie: | Diode Standard 600V 52.3A (DC) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Type de diode: | Standard |
| La description: | DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 50µA @ 600V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 52.3A (DC) |
| Capacité à Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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