HTNFET-T
HTNFET-T
Modèle de produit:
HTNFET-T
Fabricant:
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
La description:
MOSFET N-CH 55V 4-PIN
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
16138 Pieces
Fiche technique:
HTNFET-T.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.4V @ 100µA
Vgs (Max):10V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:4-Power Tab
Séries:HTMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:400 mOhm @ 100mA, 5V
Dissipation de puissance (max):50W (Tj)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:4-SIP
Autres noms:342-1091
HTNFET-T-ND
HTNFETT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 225°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:6 Weeks
Référence fabricant:HTNFET-T
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 28V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:4.3nC @ 5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole 4-Power Tab
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):5V
Tension drain-source (Vdss):55V
La description:MOSFET N-CH 55V 4-PIN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:-
Email:[email protected]

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