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Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 100µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | - |
Séries: | HTMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
Dissipation de puissance (max): | 50W (Tj) |
Emballage: | - |
Package / Boîte: | - |
Température de fonctionnement: | - |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | HTNFET-TC |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 290pF @ 28V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.3nC @ 5V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole |
Tension drain-source (Vdss): | 55V |
La description: | MOSFET N-CH 55V 4-PIN |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | - |
Email: | [email protected] |