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GA10SICP12-263
- Modèle de produit:
- GA10SICP12-263
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- La description:
- TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15225 Pieces
- Fiche technique:
- GA10SICP12-263.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Vgs (Max): | 3.5V |
| La technologie: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Package composant fournisseur: | D2PAK (7-Lead) |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 10A |
| Dissipation de puissance (max): | 170W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Autres noms: | 1242-1318 GA10SICP12-263-ND |
| Température de fonctionnement: | 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
| Référence fabricant: | GA10SICP12-263 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1403pF @ 800V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| type de FET: | - |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | 1200V (1.2kV) 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | - |
| Tension drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| La description: | TRANS SJT 1200V 25A TO263-7 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 25A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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