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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > STP5N60M2
STP5N60M2
STP5N60M2
Modèle de produit:
STP5N60M2
Fabricant:
ST
La description:
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
17895 Pieces
Fiche technique:
STP5N60M2.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220
Séries:MDmesh™ II Plus
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.4 Ohm @ 1.85A, 10V
Dissipation de puissance (max):45W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:497-14282-5
STP5N60M2-ND
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:STP5N60M2
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:165pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:4.5nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 600V 3.7A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
La description:MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3.7A (Tc)
Email:[email protected]

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