FQP17P10
Modèle de produit:
FQP17P10
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
17239 Pieces
Fiche technique:
1.FQP17P10.pdf2.FQP17P10.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220-3
Séries:QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:190 mOhm @ 8.25A, 10V
Dissipation de puissance (max):100W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:7 Weeks
Référence fabricant:FQP17P10
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 10V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:P-Channel 100V 16.5A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):100V
La description:MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:16.5A (Tc)
Email:[email protected]

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