FQA18N50V2
FQA18N50V2
Modèle de produit:
FQA18N50V2
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
16996 Pieces
Fiche technique:
FQA18N50V2.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-3P
Séries:QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:265 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max):277W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:FQA18N50V2
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3290pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 500V 20A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-3P
Tension drain-source (Vdss):500V
La description:MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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