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SQM110N05-06L_GE3
- Modèle de produit:
- SQM110N05-06L_GE3
- Fabricant:
- Vishay / Siliconix
- La description:
- MOSFET N-CH 55V 110A TO263
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 12963 Pieces
- Fiche technique:
- SQM110N05-06L_GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-263 (D2Pak) |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 157W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms: | SQM110N05-06L-GE3 SQM110N05-06L-GE3-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
| Référence fabricant: | SQM110N05-06L_GE3 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 4440pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 110nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 55V 110A (Tc) 157W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak) |
| Tension drain-source (Vdss): | 55V |
| La description: | MOSFET N-CH 55V 110A TO263 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 110A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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