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FDP032N08B_F102
- Modèle de produit:
- FDP032N08B_F102
- Fabricant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 13364 Pieces
- Fiche technique:
- FDP032N08B_F102.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-220 |
| Séries: | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.3 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 263W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 11 Weeks |
| Référence fabricant: | FDP032N08B_F102 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 10965pF @ 40V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 144nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 80V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 80V |
| La description: | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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