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FDMS3669S
- Modèle de produit:
- FDMS3669S
- Fabricant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15649 Pieces
- Fiche technique:
- FDMS3669S.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.7V @ 250µA |
|---|---|
| Package composant fournisseur: | 8-PQFN (5x6), Power56 |
| Séries: | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10 mOhm @ 13A, 10V |
| Puissance - Max: | 1W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerTDFN |
| Autres noms: | FDMS3669STR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 26 Weeks |
| Référence fabricant: | FDMS3669S |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1605pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 24nC @ 10V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Description élargie: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 18A 1W Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56 |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| La description: | MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 13A, 18A |
| Email: | [email protected] |
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