FDMD8900
FDMD8900
Modèle de produit:
FDMD8900
Fabricant:
Fairchild/ON Semiconductor
La description:
MOSFET 2N-CH 30V POWER
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
16304 Pieces
Fiche technique:
FDMD8900.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Package composant fournisseur:12-Power3.3x5
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4 mOhm @ 19A, 10V
Puissance - Max:2.1W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:12-PowerWDFN
Autres noms:FDMD8900TR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:12 Weeks
Référence fabricant:FDMD8900
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2605pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Standard
Description élargie:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 19A, 17A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
Tension drain-source (Vdss):30V
La description:MOSFET 2N-CH 30V POWER
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:19A, 17A
Email:[email protected]

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