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BSZ215CHXTMA1
- Modèle de produit:
- BSZ215CHXTMA1
- La description:
- MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19446 Pieces
- Fiche technique:
- BSZ215CHXTMA1.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.4V @ 110µA |
|---|---|
| Package composant fournisseur: | PG-TSDSON-8-FL |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Puissance - Max: | 2.5W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerTDFN |
| Autres noms: | SP001277210 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Référence fabricant: | BSZ215CHXTMA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 419pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.8nC @ 4.5V |
| type de FET: | N and P-Channel Complementary |
| Fonction FET: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Description élargie: | Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8-FL |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V |
| La description: | MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 5.1A, 3.2A |
| Email: | [email protected] |
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