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| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 460µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-SOT223-4 |
| Séries: | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 300 mOhm @ 1.9A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.8W (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-261-4, TO-261AA |
| Autres noms: | BSP171PH6327XTSA1TR SP001058824 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Référence fabricant: | BSP171PH6327XTSA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 460pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | P-Channel 60V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| La description: | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 1.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |