BSC886N03LSGATMA1
BSC886N03LSGATMA1
Modèle de produit:
BSC886N03LSGATMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
15963 Pieces
Fiche technique:
BSC886N03LSGATMA1.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TDSON-8
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.5W (Ta), 39W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:BSC886N03LS G
BSC886N03LS G-ND
BSC886N03LS GTR-ND
BSC886N03LSG
SP000475950
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Référence fabricant:BSC886N03LSGATMA1
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2100pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 30V 13A (Ta), 65A (Tc) 2.5W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
La description:MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:13A (Ta), 65A (Tc)
Email:[email protected]

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