APT6010B2LLG
APT6010B2LLG
Modèle de produit:
APT6010B2LLG
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18313 Pieces
Fiche technique:
APT6010B2LLG.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:T-MAX™ [B2]
Séries:POWER MOS 7®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 27A, 10V
Dissipation de puissance (max):690W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:APT6010B2LLG
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:6710pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:150nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 600V 54A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Tension drain-source (Vdss):600V
La description:MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:54A (Tc)
Email:[email protected]

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