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Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | T-MAX™ [B2] |
Séries: | POWER MOS 7® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 27A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 690W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-247-3 Variant |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | APT6010B2LLG |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 6710pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 150nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 600V 54A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
Tension drain-source (Vdss): | 600V |
La description: | MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 54A (Tc) |
Email: | [email protected] |