APT6030BN
Modèle de produit:
APT6030BN
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
15793 Pieces
Fiche technique:
APT6030BN.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-247AD
Séries:POWER MOS IV®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:300 mOhm @ 11.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):360W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:APT6030BN
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:210nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 600V 23A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
La description:MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

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