APT4F120K
Modèle de produit:
APT4F120K
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
17001 Pieces
Fiche technique:
1.APT4F120K.pdf2.APT4F120K.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 500µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.6 Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max):225W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:APT4F120KMI
APT4F120KMI-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:APT4F120K
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1385pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:43nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 1200V (1.2kV) 4A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220
Tension drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
La description:MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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