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SPP18P06P H
- Modèle de produit:
- SPP18P06P H
- La description:
- MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19175 Pieces
- Fiche technique:
- SPP18P06P H.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO-220-3 |
| Séries: | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 130 mOhm @ 13.2A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 81.1W (Ta) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 |
| Autres noms: | SP000446906 SPP18P06P G SPP18P06P G-ND SPP18P06PH SPP18P06PHXKSA1 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Référence fabricant: | SPP18P06P H |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 860pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | P-Channel 60V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| La description: | MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 18.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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