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| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.8V @ 20A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max): | 650V |
| Package composant fournisseur: | TO-220 [K] |
| La vitesse: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 0ns |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | TO-220-2 |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 22 Weeks |
| Référence fabricant: | APT20SCD65K |
| Description élargie: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 32A Through Hole TO-220 [K] |
| Type de diode: | Silicon Carbide Schottky |
| La description: | DIODE SILICON 650V 32A TO220 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 400µA @ 650V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 32A |
| Capacité à Vr, F: | 680pF @ 100mV, 1MHz |
| Email: | [email protected] |