AON6362
AON6362
Modèle de produit:
AON6362
Fabricant:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description:
MOSFET N-CH 30V 27A DFN
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
15638 Pieces
Fiche technique:
1.AON6362.pdf2.AON6362.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-DFN (5x6)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5.2 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max):6.2W (Ta), 31W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerSMD, Flat Leads
Autres noms:785-1741-2
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Référence fabricant:AON6362
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:820pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 30V 27A (Ta), 60A (Tc) 6.2W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
La description:MOSFET N-CH 30V 27A DFN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:27A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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