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APT34F100B2
- Modèle de produit:
- APT34F100B2
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15947 Pieces
- Fiche technique:
- 1.APT34F100B2.pdf2.APT34F100B2.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | T-MAX™ [B2] |
| Séries: | POWER MOS 8™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 18A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 1135W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-247-3 Variant |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 22 Weeks |
| Référence fabricant: | APT34F100B2 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 9835pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 305nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 1000V (1kV) 35A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Tension drain-source (Vdss): | 1000V (1kV) |
| La description: | MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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