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Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.1V @ 250µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | 3-DFN (1.0 x 0.60) |
Séries: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 710 mOhm @ 400mA, 4.5V |
Dissipation de puissance (max): | 900mW (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | 3-UFDFN |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | AON1605_001 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 50pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 750nC @ 4.5V |
type de FET: | P-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | P-Channel 20V 700mA (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 3-DFN (1.0 x 0.60) |
Tension drain-source (Vdss): | 20V |
La description: | MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 700mA (Ta) |
Email: | [email protected] |