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Vgs (th) (Max) @ Id: | 900mV @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±8V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | 6-DFN (1.6x1.6) |
Séries: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 58 mOhm @ 4A, 4.5V |
Dissipation de puissance (max): | 1.8W (Ta) |
Emballage: | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte: | 6-PowerUFDFN |
Autres noms: | 785-1488-1 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | AON1611 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 550pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 4.5V |
type de FET: | P-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | P-Channel 20V 4A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 6-DFN (1.6x1.6) |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.5V, 4.5V |
Tension drain-source (Vdss): | 20V |
La description: | MOSFET P-CH 20V 4A 6DFN |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4A (Ta) |
Email: | [email protected] |