AOI1N60L
AOI1N60L
Modèle de produit:
AOI1N60L
Fabricant:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description:
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
13712 Pieces
Fiche technique:
1.AOI1N60L.pdf2.AOI1N60L.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-251A
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9 Ohm @ 650mA, 10V
Dissipation de puissance (max):45W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Autres noms:AOI1N60L-ND
Température de fonctionnement:-50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:AOI1N60L
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:160pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 600V 1.3A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251A
Tension drain-source (Vdss):600V
La description:MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1.3A (Tc)
Email:[email protected]

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