AO4442L
Modèle de produit:
AO4442L
Fabricant:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description:
MOSFET N-CH 60V 8SOIC
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18763 Pieces
Fiche technique:
AO4442L.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-SO
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:130 mOhm @ 3.1A, 10V
Dissipation de puissance (max):3.1W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:AO4442L
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 37.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:3.5nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 75V 3.1A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount 8-SO
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):75V
La description:MOSFET N-CH 60V 8SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3.1A (Ta)
Email:[email protected]

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