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2SB817C-1E
- Modèle de produit:
- 2SB817C-1E
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- TRANS PNP 140V 12A
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15223 Pieces
- Fiche technique:
- 2SB817C-1E.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 140V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 2V @ 500mA, 5A |
| Transistor Type: | PNP |
| Package composant fournisseur: | TO-3P-3L |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 120W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Autres noms: | 2SB817C-1E-ND 2SB817C-1EOS |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 2 Weeks |
| Référence fabricant: | 2SB817C-1E |
| Fréquence - Transition: | 10MHz |
| Description élargie: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 12A 10MHz 120W Through Hole TO-3P-3L |
| La description: | TRANS PNP 140V 12A |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1A, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100µA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 12A |
| Email: | [email protected] |
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