1N4447
1N4447
Modèle de produit:
1N4447
Fabricant:
Microsemi
La description:
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
12565 Pieces
Fiche technique:
1N4447.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1V @ 20mA
Tension - inverse (Vr) (max):75V
Package composant fournisseur:DO-35
La vitesse:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):4ns
Emballage:Bulk
Package / Boîte:DO-204AH, DO-35, Axial
Autres noms:1N4447MS
Température d'utilisation - Jonction:-65°C ~ 150°C
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:1N4447
Description élargie:Diode Standard 75V 200mA Through Hole DO-35
Type de diode:Standard
La description:DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
Courant - fuite, inverse à Vr:25nA @ 20V
Courant - Rectifié moyenne (Io):200mA
Capacité à Vr, F:-
Email:[email protected]

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