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1N4449
- Modèle de produit:
- 1N4449
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
- État sans plomb / État RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- quantité disponible:
- 12607 Pieces
- Fiche technique:
- 1N4449.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1V @ 30mA |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max): | 75V |
| Package composant fournisseur: | DO-35 |
| La vitesse: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 4ns |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Température d'utilisation - Jonction: | -65°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | 1N4449 |
| Description élargie: | Diode Standard 75V 200mA Through Hole DO-35 |
| Type de diode: | Standard |
| La description: | DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 25nA @ 20V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 200mA |
| Capacité à Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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