VN2110K1-G
VN2110K1-G
Modèle de produit:
VN2110K1-G
Fabricant:
Micrel / Microchip Technology
La description:
MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23-3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18753 Pieces
Fiche technique:
VN2110K1-G.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SOT-23-3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max):360mW (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms:VN2110K1-G-ND
VN2110K1-GTR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:19 Weeks
Référence fabricant:VN2110K1-G
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:50pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:-
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 100V 200mA (Tj) 360mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):100V
La description:MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:200mA (Tj)
Email:[email protected]

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