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US6M11TR
- Modèle de produit:
- US6M11TR
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 13811 Pieces
- Fiche technique:
- US6M11TR.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Package composant fournisseur: | UMT6 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Puissance - Max: | 1W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Référence fabricant: | US6M11TR |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 110pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.8nC @ 4.5V |
| type de FET: | N and P-Channel |
| Fonction FET: | Logic Level Gate |
| Description élargie: | Mosfet Array N and P-Channel 20V, 12V 1.5A, 1.3A 1W Surface Mount UMT6 |
| Tension drain-source (Vdss): | 20V, 12V |
| La description: | MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 1.5A, 1.3A |
| Email: | [email protected] |
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